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Infineon Technologies BSP321PH6327XTSA1
| Artikelnummer: | BSP321PH6327XTSA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223-4 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.93 |
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- Spezifikationen
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Infineon Technologies BSP321PH6327XTSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BSP321PH6327XTSA1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 380µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-SOT223-4 Serie SIPMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 980mA, 10V Verlustleistung (max) 1.8W (Ta) Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 319 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V Typ FET P-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 980mA (Tc) Grundproduktnummer BSP321 BSP321PH6327XTSA1 Einzelheiten PDF [English] BSP321PH6327XTSA1 PDF - EN.pdf -
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